引言例如，在电源分配系统中，高载荷 - 载荷断开连接可能会导致过电压的产生。为了保护连接到相同电源的其他负载，建议采取保护措施。图1显示了电路电路的布局，LT4363在受保护的电子电路的前端使用。该示例源自具有24 V的供应电压速率的工业应用。图1正常电压电压电压电路的简单描述，如果发生过电压，则受保护的电子设备应保持不变。它要求保护电路为断路器（图1中的Q1）提供线性范围内工作。在过电压期间，MOSFET不完全打开或完全转动，而处于轻微的导电状态。在这种运行状态下，它的作用像电阻，过电压会产生电压塌陷。因此，高电压中包含的能量为c向MOSFET Q1旋转到热量。根据所选的MOSFET，它只能在一定时间内带来这种热量，然后通过过热会损坏它。图2 MOSFET的标准SOA曲线图2显示了MOSFET的标准安全工作区域（SOA）。 SOA曲线确定可以将当前设备的体积带到不同的电压下降，并且可以继续携带电流多长时间。如果您希望长时间通过MOSFET流动较大，则必须选择具有更大范围的SOA的MOSFET。 SOA范围越大，MOSFET尺寸越大。它还将增加成分的成本。为了优化服装的尺寸，MOSFET通常会尽可能少，并确保其安全操作。这意味着所选的MOSFET的尺寸不是很大，或者在实际应用中充分利用其大多数SOA范围。因此，控制器IC必须准确确定就业状态to确定MOSFET操作是否在安全的SOA覆盖范围内。但是，许多IC控制器仅测量流过MOSFET的电流。如果您还可以理解整个MOSFET的电压崩溃，那会更好。图3在LT4363中，将根据运河源的电压充电，以实现SOA曲线的准填充。 P Protection Devicelt4363旋转不仅考虑了流过MOSFET的电流的大小，而且还考虑了资源和运河之间使用的电压。这样，MOSFET可以在线性模式下更安全，并可以选择较小的MOSFET，从而降低系统成本。该保护机制是通过根据测量的电流和电压塌陷将计时电容器向TMR PIN的电源销的。如果电容器中的电压升高到1.275 V，并且当电压高于1.375 V时，会发出警告。保护。图3显示了图1中LT4363的正时电容器中的电压如何增加，这是由于图1中MOSFET Q1中VDS的电压增加。这些参数确保MOSFET的SOA曲线不会超过，这不仅可以实现安全的操作，而且还可以在过压保护中发挥作用。结论过电压保护模块看起来相对简单且令人难以置信，但是某些温和的特性可能会对过电压保护性能和MOSFET的选择产生重大影响。弗雷德里克·杜斯塔尔（Frederik Dostal）是电力管理专家，具有超过20年的工业经验。他参加了德国埃尔兰根大学的微电子学，并于2001年以现场应用工程师的身份加入了国家半导体，帮助客户实施了针对项目的电力管理解决方案，从而积累了许多经验。在TH期间是时候，他还在美国亚利桑那州凤凰城工作了4年，担任应用程序工程师，并负责移动电源产品。他于2009年加入ADI，并在欧洲担任了许多产品线和技术支持职位，并拥有广泛的设计和应用知识，目前是电力管理专家。弗雷德里克（Frederik）在德国的阿迪·慕尼黑（Adi Munich）分支机构工作。